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    Cree将投资10亿美元扩大SiC(碳化硅)产能

      发布时间:2019-05-11 23:08

      2019年5月8日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC()产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC(将极大增强公司SiC(碳化硅)材料性能和晶圆制造产能,使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

      Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示:“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC(碳化硅)的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是,现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC(碳化硅)的需求。今天,我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资,将大幅地提升供应,帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入,将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度(也就是我们开始扩大产能的第一阶段)相比较,能够带来SiC(碳化硅)晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC(碳化硅)材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

      这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC(碳化硅)业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施,作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂,迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂,其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍,刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

      Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示:“这些SiC(碳化硅)制造超级工厂,将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案,帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间,同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)技术和制造有史以来最大的资本投资,也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具,我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab,并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

      扩大的园区将创造高科技就业机会,并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目,为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

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